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Abstract：
论文对薄膜SOI高压MOSFET的物理效应和优化技术进行了深入细致的研究，工作取得了以下主要成果：第一， 利用器件模拟软件MEDICI4.0对薄膜SOI高压MOSFET的结构和特性进行了模拟分析和优化设计，得出了最佳的漂移区阶梯掺杂浓度和漂移区长度，并指出了消除寄生晶体管的途径。第二，进行了工艺流程设计、投片和测试，提出改进的工艺流程。第三，进行了SOI器件自加热效应的电热模拟，对SOD结构的MOSFET进行了模拟，表征了衬底绝缘材料对自加热效应的直接贡献。
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Degree： 工学博士
Mentor： 罗晋生
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Year： 2001
Language： Chinese
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