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离子注入型Si-PIN半导体探测器的研制
期刊论文 | 2011 , (6) , 47-50 | 真空电子技术
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Abstract :

本文系统地介绍了Si-PIN探测器对带电粒子、中子、射线的探测原理.针对灵敏面积为φ30mm×420μm的Si-PIN探测器,详细地介绍了设计方法和工艺流程,并指出了影响探测器性能的关键工艺.采用离子注入和平面工艺不仅能够降低漏电流,提高探测器的能量分辨率,而且使得探测器对高温环境和真空都很稳定.最后初步介绍了探测器的电特性(I-V特性,C-V特性)的变化趋势,以及探测特性参数的测量方法.

Keyword :

Si-PIN探测器 离子注入 漏电流 能量分辨率

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GB/T 7714 宋明东 , 卜忍安 . 离子注入型Si-PIN半导体探测器的研制 [J]. | 真空电子技术 , 2011 , (6) : 47-50 .
MLA 宋明东 等. "离子注入型Si-PIN半导体探测器的研制" . | 真空电子技术 6 (2011) : 47-50 .
APA 宋明东 , 卜忍安 . 离子注入型Si-PIN半导体探测器的研制 . | 真空电子技术 , 2011 , (6) , 47-50 .
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改善彩色等离子体显示器动态假轮廓的动态复合寻址技术 CSCD PKU
期刊论文 | 2006 , (6) , 714-718 | 西安交通大学学报
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Abstract :

开发了一种改善彩色等离子体显示器动态假轮廓的新型动态复合寻址技术.该技术基于寻址与显示分离技术,将对产生动态假轮廓起重要作用的权值较大子场拆分为若干个权值较小的子场,并对拆分的子场使用累积发光的寻址方式,利用输入图像灰度统计与预置的灰度阈值比较,动态地确定拆分子场的使用情况,在不影响图像显示亮度的情况下有效地减小了动态假轮廓现象.同时,利用拆分多个子场、设置多阈值、增加子场数目、使用遗传算法修正编码、联合方式等改进技术,充分发挥子场数目多、子场冗余、拆分子场的特点,进一步减小了动态假轮廓.仿真结果表明,改善动态假轮廓的新型动态复合寻址技术有效地减小了动态假轮廓现象,并最大限度地提高了整幅图像的显示质量.

Keyword :

彩色等离子体显示器 动态复合寻址 动态检测 遗传算法

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GB/T 7714 魏巍 , 孙鉴 . 改善彩色等离子体显示器动态假轮廓的动态复合寻址技术 [J]. | 西安交通大学学报 , 2006 , (6) : 714-718 .
MLA 魏巍 等. "改善彩色等离子体显示器动态假轮廓的动态复合寻址技术" . | 西安交通大学学报 6 (2006) : 714-718 .
APA 魏巍 , 孙鉴 . 改善彩色等离子体显示器动态假轮廓的动态复合寻址技术 . | 西安交通大学学报 , 2006 , (6) , 714-718 .
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H2对彩色AC-PDP中Ne-Xe混合气体放电性能的影响 CSCD PKU
期刊论文 | 2006 , (3) , 204-206 | 真空科学与技术学报
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Abstract :

使用AC-PDP宏放电单元测试了AC-PDP放电单元加入少量H2对Ne-Xe混合气体放电性能的影响.结果表明,Ne-Xe混合气体中加入少量H2时会显著改变AC-PDP的着火电压、维持电压和放电电流等放电性能参数.当输入电压频率一定时,着火电压和最小维持电压都会随着H2含量的变化而变化,并且着火电压和最小维持电压在某一H2含量下存在最小值;当H2含量一定时,着火电压和最小维持电压随着输入电压频率的增大而增大;在Ne-Xe混合气体中加入H2后,起始放电电流会随着H2含量的增加而增大.但是,当H2含量一定时,起始放电电流会随着输入电压频率的增加而增加,并在某一特定频率下达到最大值;当输入电压频率继续增加达到某一更高的值时,加入H2的Ne-Xe混合气体的起始放电电流反而会降低至未加入H2时相同.

Keyword :

AC-PDP H2 放电电流 维持电压 着火电压

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GB/T 7714 魏巍 , 孙鉴 , 郭滨刚 . H2对彩色AC-PDP中Ne-Xe混合气体放电性能的影响 [J]. | 真空科学与技术学报 , 2006 , (3) : 204-206 .
MLA 魏巍 等. "H2对彩色AC-PDP中Ne-Xe混合气体放电性能的影响" . | 真空科学与技术学报 3 (2006) : 204-206 .
APA 魏巍 , 孙鉴 , 郭滨刚 . H2对彩色AC-PDP中Ne-Xe混合气体放电性能的影响 . | 真空科学与技术学报 , 2006 , (3) , 204-206 .
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沉积角度对MgO介质保护膜性能的影响 CSCD PKU
期刊论文 | 2006 , (3) , 181-184 | 真空科学与技术学报
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Abstract :

由于介质保护膜的特性极大地影响交流等离子体显示器(AC-PDP)的寿命、功耗和显示质量,所以研究介质保护膜的制备工艺是十分重要的.本文利用电子束加热蒸镀法,在不同沉积角度下制备了MgO介质保护膜和宏单元气体放电屏.利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对制备的介质保护膜样品的微观结构和表面特征进行了表征,并且,利用宏单元气体放电实验屏研究了介质保护膜的气体放电特性.结果表明:在沉积角度为15°下制备的MgO介质保护膜,薄膜的着火电压最低,晶粒最大,并且结晶取向最强.

Keyword :

保护膜 沉积角度 等离子体显示器 结晶取向 着火电压

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GB/T 7714 范玉锋 , 夏星 , 刘纯亮 . 沉积角度对MgO介质保护膜性能的影响 [J]. | 真空科学与技术学报 , 2006 , (3) : 181-184 .
MLA 范玉锋 等. "沉积角度对MgO介质保护膜性能的影响" . | 真空科学与技术学报 3 (2006) : 181-184 .
APA 范玉锋 , 夏星 , 刘纯亮 . 沉积角度对MgO介质保护膜性能的影响 . | 真空科学与技术学报 , 2006 , (3) , 181-184 .
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彩色等离子体显示器动态低灰度级增强技术 CSCD PKU
期刊论文 | 2005 , (12) , 1366-1369 | 西安交通大学学报
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Abstract :

开发了一种利用反γ修正子场编码增强彩色等离子体显示器(PDP)动态低灰度级图像的技术.该技术基于灰度平均分配算法,通过输入灰度级的非均匀分配、低灰度级单独分配、反γ曲线低灰度级部分指数项的修正等3项改进技术对反γ修正子场编码进行校正,有效地增加了显示的动态低灰度级数目,在保证整幅图像显示效果的同时增强了彩色PDP对低灰度级图像的显示能力.该技术还可根据输入图像的灰度分布特点动态指定所要增强的灰度级范围,增强了算法的灵活性.仿真结果表明,当输入图像为0~255级灰度时,采用新技术可使输出灰度级在0~60的图像单元占全部图像单元的最高比率达到26.8%,是单纯使用反γ修正技术时的6.2倍.

Keyword :

彩色等离子体显示器 单独分配 动态低灰度级 反γ曲线指数 非均匀分配 灰度平均分配

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GB/T 7714 魏巍 , 孙鉴 . 彩色等离子体显示器动态低灰度级增强技术 [J]. | 西安交通大学学报 , 2005 , (12) : 1366-1369 .
MLA 魏巍 等. "彩色等离子体显示器动态低灰度级增强技术" . | 西安交通大学学报 12 (2005) : 1366-1369 .
APA 魏巍 , 孙鉴 . 彩色等离子体显示器动态低灰度级增强技术 . | 西安交通大学学报 , 2005 , (12) , 1366-1369 .
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维持期辅助脉冲对彩色等离子体显示器性能的影响 CSCD PKU
期刊论文 | 2005 , (2) , 88-92 | 真空科学与技术学报
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Abstract :

为提高彩色等离子体显示器(PDP)的性能,研究了维持期辅助脉冲对PDP的亮度、亮度效能、功耗、白平衡、色温等参数的影响.实验结果表明,维持脉冲上升的同时加500 ns宽度的辅助脉冲,能同时提高亮度和色温,但白平衡变差;维持稳定期和下降期加辅助脉冲,使亮度降低,功耗增加,白平衡变差,其他参数基本不变;维持空闲期加辅助脉冲使屏的亮度下降到原来的7%;辅助脉冲的组合使所有参数都变得更差.分别对R、G、B信号加不同的辅助脉冲,可有效提高一项或多项性能参数而没有负面影响,适合于实际应用.

Keyword :

白平衡 等离子体显示器 辅助脉冲 功率 亮度 色温

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GB/T 7714 张小宁 , 刘纯亮 . 维持期辅助脉冲对彩色等离子体显示器性能的影响 [J]. | 真空科学与技术学报 , 2005 , (2) : 88-92 .
MLA 张小宁 等. "维持期辅助脉冲对彩色等离子体显示器性能的影响" . | 真空科学与技术学报 2 (2005) : 88-92 .
APA 张小宁 , 刘纯亮 . 维持期辅助脉冲对彩色等离子体显示器性能的影响 . | 真空科学与技术学报 , 2005 , (2) , 88-92 .
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彩色等离子体显示器准备期动态修正技术 CSCD PKU
期刊论文 | 2005 , (8) , 885-889 | 西安交通大学学报
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Abstract :

开发了一种彩色等离子体显示器的新型准备期动态修正技术,具有高对比度、低能量寻址、消除动态假轮廓(CLEAR)的特点,利用输入图像灰度的加权平均值与预置的灰度阈值比较,动态地调整准备期在1场中的位置,使动态调整后的灰度值能够更加真实地反映输入图像灰度的分布情况.同时,利用相邻两场采用不同子场编码与准备期动态修正相结合的改进技术,大幅度增加了显示灰度级数目.仿真结果表明,准备期动态修正CLEAR技术在消除动态假轮廓的同时,增强了对低灰度级图像的显示能力,并且最大限度地提高了整幅图像的显示质量.

Keyword :

彩色等离子体显示器 灰度阈值 加权平均 准备期动态修正

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GB/T 7714 魏巍 , 孙鉴 . 彩色等离子体显示器准备期动态修正技术 [J]. | 西安交通大学学报 , 2005 , (8) : 885-889 .
MLA 魏巍 等. "彩色等离子体显示器准备期动态修正技术" . | 西安交通大学学报 8 (2005) : 885-889 .
APA 魏巍 , 孙鉴 . 彩色等离子体显示器准备期动态修正技术 . | 西安交通大学学报 , 2005 , (8) , 885-889 .
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PDP中Mg1-xCaxO复合介质保护膜结晶取向研究 CSCD PKU
期刊论文 | 2004 , (5) , 339-342 | 真空科学与技术学报
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Abstract :

为了研究CaO的加入对MgO PDP介质保护膜晶面择优取向的影响,使用不同CaO含量的MgO+CaO膜料,在不同的基底温度和沉积速率下进行电子束蒸发沉积,并对形成的Mg1-xCaxO膜进行了X射线衍射分析.结果表明,Ca含量越小,越容易形成〈111〉择优取向.在选取的所有基底温度和沉积速率下,纯MgO和Mg0.96Ca0.04O膜都形成了〈111〉晶面择优取向;Mg0.93Ca0.07O膜,获得最强的(111)衍射峰;而Mg0.9Ca0.1O膜中,在不同的工艺下,分别得到(111),(200)面以及无序多晶膜.通过X射线衍射分析还发现,在Mg1-xCaxO膜中,所有〈111〉择优取向的衍射峰2θ的位置比纯MgO向负方向移动0.2°~0.7°,而且x越大,这种偏移越大.

Keyword :

PDP X射线衍射 电子束蒸发 介质保护膜 择优取向

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GB/T 7714 夏星 , 郭滨刚 , 范玉锋 et al. PDP中Mg1-xCaxO复合介质保护膜结晶取向研究 [J]. | 真空科学与技术学报 , 2004 , (5) : 339-342 .
MLA 夏星 et al. "PDP中Mg1-xCaxO复合介质保护膜结晶取向研究" . | 真空科学与技术学报 5 (2004) : 339-342 .
APA 夏星 , 郭滨刚 , 范玉锋 , 刘纯亮 . PDP中Mg1-xCaxO复合介质保护膜结晶取向研究 . | 真空科学与技术学报 , 2004 , (5) , 339-342 .
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两点触发放电型交流等离子体显示屏及其驱动技术 CSCD PKU
期刊论文 | 2004 , (2) , 174-177 | 西安交通大学学报
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Abstract :

为了克服现有技术制作的彩色等离子显示屏存在的亮度和发光效率较低的缺点,提出一种全新结构的显示屏及其驱动技术.该屏的寻址放电和维持放电在不同的间隙产生,解除了寻址与维持工作状态的相互制约.选取较小的寻址放电间隙可降低寻址电压,从而降低寻址的功耗,而选取较大的维持放电间隙可提高显示屏的亮度和发光效率.实验结果表明,采用新结构显示屏,其峰值亮度可达600 cd/m2.

Keyword :

彩色等离子体显示屏 放电间隙 维持放电 寻址放电

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GB/T 7714 梁宁 , 范玉峰 , 刘纯亮 . 两点触发放电型交流等离子体显示屏及其驱动技术 [J]. | 西安交通大学学报 , 2004 , (2) : 174-177 .
MLA 梁宁 et al. "两点触发放电型交流等离子体显示屏及其驱动技术" . | 西安交通大学学报 2 (2004) : 174-177 .
APA 梁宁 , 范玉峰 , 刘纯亮 . 两点触发放电型交流等离子体显示屏及其驱动技术 . | 西安交通大学学报 , 2004 , (2) , 174-177 .
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提高彩色PDP显示灰度等级的准延伸编码方法 CSCD PKU
期刊论文 | 2003 , (3) , 152-155 | 真空科学与技术学报
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Abstract :

为了解决延伸编码在消除动态假轮廓时存在显示灰度等级不够和需要子场数目多的不足,从动态假轮廓的成因入手,吸取延伸编码和常规编码的长处,提出了准延伸编码方法,该方法能够使用较少的子场数目来提高PDP的显示灰度等级,同时有效地消除了动态假轮廓现象.仿真结果表明,采用准延伸编码方法,运动图像和静止图像的相关系数为0.8972,使图像显示质量大为改善.

Keyword :

彩色等离子体显示器 动态假轮廓 误差扩散 延伸编码

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GB/T 7714 梁宁 , 沈思宽 , 孙鉴 . 提高彩色PDP显示灰度等级的准延伸编码方法 [J]. | 真空科学与技术学报 , 2003 , (3) : 152-155 .
MLA 梁宁 et al. "提高彩色PDP显示灰度等级的准延伸编码方法" . | 真空科学与技术学报 3 (2003) : 152-155 .
APA 梁宁 , 沈思宽 , 孙鉴 . 提高彩色PDP显示灰度等级的准延伸编码方法 . | 真空科学与技术学报 , 2003 , (3) , 152-155 .
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